Faraday تطور معالجات مستندة إلى معمارية Arm Neoverse بمساعدة إنتل

كشفت شركة Faraday، المتخصصة في تصميم الرقاقات، عن خططها لتطوير أولى المعالجات المستندة إلى معمارية Arm Neoverse والقادمة مع 64 نواة.

ويفترض، وفقًا لبيان الشركة، أن تصنع إنتل هذا المعالج الجديد بواسطة شركتها الفرعية إنتل (Foundry Services) باستخدام دقة تصنيع قدرها 1.8 نانومتر (18A).

اللافت أن شركة إنتل (Foundry Services) وشركة Arm أعلنتا عن تعاون في مجال أنظمة الهواتف المحمولة لتصنيع معالجات (SoC) باستخدام دقة تصنيع قدرها 1.8 نانومتر في شهر أبريل عام 2023. لكن حتى الآن، لم يُثمر هذا التعاون كما كان مُتوقعًا.

وتؤكد Faraday أن معالج (SoC) القادم مع 64 نواة والمستند إلى معمارية Arm Neoverse يلبي مجموعة واسعة مما يحتاج إليه السوق، ومن ذلك مراكز البيانات الضخمة القابلة للتطوير، والبنية التحتية، وشبكات الجيل الخامس المتقدمة. كما يتوقع أن يحتوي المعالج الجديد على تقنيات تدعم واجهة الاتصال PCIe وذاكرة CXL وذاكرة DDR5.

وتجدر الإشارة إلى أن شركة Faraday لن تقوم بتسويق هذا المعالج بنفسها، ولكنها ستعرض تصميمه على عملائها الذين سيكونون قادرين على تخصيصه وفقًا لاحتياجاتهم. كما يُعد تصنيع هذه المعالجات بواسطة شركة إنتل (Foundry Services) أولى معالجات مراكز البيانات المستندة إلى معمارية Arm التي تصنعها مسابك إنتل.

مقالات ذات صلة

Faraday تطور معالجات مستندة إلى معمارية Arm Neoverse بمساعدة إنتل

وحصلت شركة إنتل (Foundry Services) على عدة طلبات لتصنيع رقاقات مخصصة لمراكز البيانات، ومن ذلك رقاقات لمراكز البيانات السحابية المصنوعة بدقة تصنيع إنتل 3، ورقاقات الخوادم المخصصة لشركة Ericsson، ورقاقات مصنوعة بدقة تصنيع قدرها 1.8 نانومتر مخصصة لوزارة الدفاع الأمريكية. بالإضافة إلى ذلك تخطط شركة إنتل لتصميم رقاقات (SiP) لمراكز البيانات لصالح شركة أمازون.

وقال ستيف وانج، الرئيس التنفيذي لشركة Faraday: “بصفتنا شريكًا لخدمات التصميم في Arm Total Design، فإن شركة Faraday تستهدف أحدث دقة تصنيع لتلبية الاحتياجات المتطورة للتطبيقات المستقبلية. نحن متحمسون لإعلان تطوير منصة (SoC) الجديدة والمستندة إلى معمارية Arm Neoverse، التي تستفيد من دقة تصنيع إنتل 18A”.

وتعتمد دقة التصنيع البالغة 1.8 (18A) نانومتر على ترانزستور RibbonFET ذي البوابة الشاملة (GAA) لتتخلى إنتل عن ترانزستور FinFET وتنتقل إلى ترانزستور RibbonFET. ويسمح هذا التصميم الجديد لعدة طبقات نانوية بالاتصال رأسيًا بالترانزستور بدلًا من الوضعية الأفقية؛ إذ يفيد هذا التصميم تقليلَ عرض الترانزستور بوضوح، والسماح بإضافة المزيد من الطبقات النانوية على مساحة سطح أصغر. وتَعِد دقة التصنيع البالغة 18A بتحسين الأداء بنسبة تصل إلى 10% لكل واط مقارنةً بدقة التصنيع البالغة 20A من إنتل.

نسخ الرابط تم نسخ الرابط

المصدر: البوابة العربية للأخبار التقنية

اشترك فى النشرة البريدية لتحصل على اهم الاخبار بمجرد نشرها

تابعنا على مواقع التواصل الاجتماعى